Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法

授权

摘要

本发明是一种Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件，其在阱层上下形成的层与阱层的接合部附近具有下列区域，该区域为：使在该阱层上下形成的层的晶格常数，以接近该阱层的晶格常数的方式，发生变化而形成。本发明是具有单或多量子阱结构的发光层的Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件制造方法，该结构具有至少包含铟(In)的阱层，其中，在利用气相生长法来形成阱层时，从In源的最低供给量来开始供给，然后使In源的供给量增加到目标供给量为止，此后保持一定供给量，接下来，从目标供给量减少到最低供给量，对In源之外的Ⅲ族原料源而言，在从In源供给开始至供给结束为止的这一期间，以一定的供给量来供给。

基本信息

专利标题：

Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819288A

申请号：

CN200610002758.4

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

泷哲也生川满久青木真登奥野浩司丰田优介西岛和树山田修平

申请人：

丰田合成株式会社

申请人地址：

日本爱知县

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦

优先权：

CN200610002758.4

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00