氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及一种氮化镓(gallium nitride，GaN)化合物半导体发光元件(LED)及其一种制造方法。本发明提供一种垂直GaN LED，其能够借助于金属保护膜层和金属支撑层而改进水平LED的特性。根据本发明，在垂直GaN LED的侧面和/或底面上形成厚度为至少10微米的厚金属保护膜层，以保护元件不受外部碰撞并容易地分离芯片。另外，使用金属衬底来代替蓝宝石衬底，以在操作元件时有效地将所生成的热量释放到外部，以使得LED能适于高功率应用，且也能制造具有改进的光学输出特性的元件。形成金属支撑层，以保护元件不会由于碰撞而变形或损坏。此外，P型电极以网格形式部分地形成在P－GaN层上，以借此使作用层中生成的光子朝向N－GaN层的发射最大化。
基本信息
专利标题 ：
氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084583A
申请号 ：
CN200580041110.1
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李钟览
申请人 ：
首尔OPTO仪器股份有限公司;浦项工科大学校产学协力团
申请人地址 ：
韩国安山市
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200580041110.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2014-06-18 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更后 : 浦项工科大学校产学协力团
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701980077
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800411101
变更事项 : 专利权人
变更前 : 首尔OPTO仪器股份有限公司
变更后 : 首尔伟傲世有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国安山市
变更后 : 韩国京畿道安山市
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浦项工科大学校产学协力团
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701980077
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2005800411101
变更事项 : 专利权人
变更前 : 首尔OPTO仪器股份有限公司
变更后 : 首尔伟傲世有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国安山市
变更后 : 韩国京畿道安山市
变更事项 : 专利权人
变更前 : 浦项工科大学校产学协力团
2009-11-18 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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