Ⅲ－V族化合物半导体发光元件及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
一种III－V族化合物半导体发光元件是包含III－V族化合物半导体的发光元件，其特征在于，包含第一层叠体(10)和第二层叠体(20)，第一层叠体(10)包含III－V族化合物半导体层叠体(11)、在III－V族化合物半导体层叠体(11)的一个主面侧形成的反射层(108)、第一扩散抑制层(109)、第一金属层(110)，第二层叠体(20)包含半导体衬底(201)和第二金属层(205)，第一层叠体(10)和第二层叠体(20)由第一金属层(110)和第二金属层(205)接合，通过第一扩散抑制层(109)抑制反射层(108)和第一金属层(110)之间的原子的扩散。由此，可提供一种对芯片面积周围的外部的光取出效率高的III－V族化合物半导体元件及莫制造方法。
基本信息
专利标题 ：
Ⅲ－V族化合物半导体发光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770492A
申请号 ：
CN200510120114.0
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山本健作
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN200510120114.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01S5/00
法律状态
2018-12-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 33/00
登记生效日 : 20181206
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 厦门三安光电有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
登记生效日 : 20181206
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 厦门三安光电有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪府
变更后权利人 : 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
2009-03-25 ：
授权
2006-07-05 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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