氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种不需形成非晶体状的低温缓冲层，直接在基板上形成氮化物半导体的a轴和c轴两者均对齐的单晶层，在该单晶层上使氮化物半导体层外延生长的氮化物半导体发光元件、晶体管元件等的氮化物半导体元件，和直接生长该氮化物半导体单晶层的方法。在与氮化物半导体晶格不匹配的基板(1)上使氮化物半导体层(3)生长的情况下，在基板(1)上直接设置单晶缓冲层(2)，在该单晶缓冲层(2)上使氮化物半导体层(3)外延生长，该单晶缓冲层(2)由AlxGayIn1－x－yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)构成，AlxGayIn1－x－yN的a轴和c轴对齐。
基本信息
专利标题 ：
氮化物半导体元件和氮化物半导体结晶层的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111945A
申请号 ：
CN200680003331.4
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中原健田村谦太郎
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200680003331.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/20 H01L21/205 H01L21/338 H01L29/778 H01L29/812
法律状态
2014-03-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581032281
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006800033314
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20120314
终止日期 : 20130126
号牌文件序号 : 101581032281
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006800033314
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20120314
终止日期 : 20130126
2012-03-14 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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