半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种制造半导体元件的方法，其包括：提供基板；在该基板上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成保热层；图案化该保热层；以及照射该已图案化的保热层。
基本信息
专利标题 ：
半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1933104A
申请号 ：
CN200610064873.4
公开（公告）日 ：
2007-03-21
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林家兴陈麒麟
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛平
优先权 ：
CN200610064873.4
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003944676
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利申请号 : 2006100648734
公开日 : 20070321
号牌文件序号 : 101003944676
IPC(主分类) : H01L 21/20
专利申请号 : 2006100648734
公开日 : 20070321
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-03-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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