半导体元件的制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体元件的制造方法，并提供一种技术，能够提高利用了氮化镓衬底(GaN衬底)的半导体元件的制造性，同时在GaN衬底上形成平坦性及结晶性优越的氮化物类半导体层。准备上表面(10a)相对于(0001)面在<1-100>方向具有大于等于0.1°小于等于1.0°的偏移角度θ的氮化镓衬底(10)。并且，在GaN衬底(10)的上表面(10a)上层叠含有n型半导体层(11)的多个氮化物类半导体层，从而形成半导体激光器等的半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101452837A
申请号 ：
CN200810135797.0
公开（公告）日 ：
2009-06-10
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大野彰仁竹见政义富田信之
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王 岳
优先权 ：
CN200810135797.0
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L33/00 H01S5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2011-04-20 ：
授权
2009-08-05 ：
实质审查的生效
2009-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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