晶片导向器,MOCVD装置和氮化物半导体生长方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。
基本信息
专利标题 ：
晶片导向器,MOCVD装置和氮化物半导体生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1782142A
申请号 ：
CN200510125396.3
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
上野昌纪吉本晋松叶聪
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
陈平
优先权 ：
CN200510125396.3
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B25/12 C30B29/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
2017-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101696007557
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2005101253963
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20110216
终止日期 : 20151116
号牌文件序号 : 101696007557
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2005101253963
申请日 : 20051116
授权公告日 : 20110216
终止日期 : 20151116
2011-02-16 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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