本发明公开了一种氮化物半导体基板的制备方法，包括以下过程：提供氮化物半导体基材，所述氮化物半导体基材包括衬底材料层和形成于所述衬底材料层上方的氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层上形成牺牲层，且所述牺牲层的表面具有纳米孔隙结构；用第一刻蚀剂刻蚀所述牺牲层，直至到达位于所述牺牲层下方的所述氮化物半导体层界面，进入所述纳米孔隙结构的所述第一刻蚀剂优先到达所述氮化物半导体层界面处，并与所述氮化物半导体层反应生成纳米颗粒残留在所述氮化物半导体层界面处；以所述纳米颗粒为掩模，刻蚀所述氮化物半导体层，形成纳米柱阵列。本发明工艺流程短，生产耗时少。