III族氮化物半导体材料的制备方法
公开
摘要
本发明公开一种III族氮化物半导体材料的制备方法，其包括在生长完第M层III族氮化物材料层后的升温阶段或降温阶段，在保持反应腔内氮源气体和反应载气的持续通入的同时，至少将生长第M层III族氮化物材料层所用的III族原料源中的与氮原子成键键能最弱的III族原料源通入反应腔中，其中，M≥1，M为整数。由此，可以提高制得的第M层III族氮化物材料层的界面处键能较弱原子的浓度，减弱键能较弱原子的分解，使界面处金属原子比例维持不变，进而防止第M层III族氮化物材料层的界面处的组分发生畸变。
基本信息
专利标题 ：
III族氮化物半导体材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293249A
申请号 ：
CN202111651536.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴华龙何晨光张康贺龙飞赵维廖乾光刘云洲陈志涛
申请人 ：
广东省科学院半导体研究所
申请人地址 ：
广东省广州市天河区长兴路363号
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李彬彬
优先权 ：
CN202111651536.6
主分类号 ：
C30B25/14
IPC分类号 ：
C30B25/14 C30B25/16 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置；反应气流的变换
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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