具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法
实质审查的生效
摘要
提供半导体元件的制备方法，包括：提供基底在反应腔室中；形成未处理氮化硅膜在基底上；形成处理过氮化硅膜在未处理氮化硅膜上。形成未处理氮化硅膜包括：(a)供应第一硅前驱物进入反应腔室；(b)供应氮前驱物进入反应腔室。(a)与(b)按序且重复执行以形成未处理氮化硅膜。形成处理后氮化硅膜包括：(c)提供第二硅前驱物进入反应腔室；(d)通过提供多个氢自由基进入反应腔室以减少来自第二硅前驱物的化学物种中的杂质来执行第一氢自由基清除；(e)供应第二氮前驱物进入反应腔室。(c)、(d)及(e)按序且重复执行以形成处理后氮化硅膜。未处理氮化硅膜与处理后氮化硅膜一起形成氮化硅层。
基本信息
专利标题 ：
具有抗蚀刻氮化物层的半导体元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388345A
申请号 ：
CN202110908605.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林诗恩吴威政曾纬伦吴文杰
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110908605.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20210809
申请日 : 20210809
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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