在半导体元件中蚀刻介电材料的方法
授权
摘要
本发明提供一种在半导体元件中蚀刻介电材料的方法。提供一导电区域之后，形成一介电层于导电区域之上；再形成一抗反射层于介电层上；执行去除湿气步骤以去除该抗反射层以及该介电层与该抗反射层间的界面区域的湿气；转换一光罩图案至该抗反射层与该介电层中。本发明提供的在半导体元件中蚀刻介电材料的方法，通过在覆盖光刻胶前执行去除湿气步骤，可以一致且完全地蚀刻介层洞。
基本信息
专利标题 ：
在半导体元件中蚀刻介电材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841673A
申请号 ：
CN200610057344.1
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黎丽萍张宗生郭伟毅李宗宪蔡俊琳吴斯安李音频
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610057344.1
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2008-12-17 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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