一种介电陶瓷元件
授权
摘要
本实用新型公开了一种介电陶瓷元件。该介电陶瓷元件具有多层金属镀覆层，在所述多层金属镀覆层的协同作用下，该介电陶瓷元件的插损低，满足高频通讯信号的技术要求，并且解决了现有技术中使用在陶瓷表面沉积厚银工艺所带来的成本高的问题。同时本实用新型的介电陶瓷元件的基底与金属层的结合力强，Q值高。
基本信息
专利标题 ：
一种介电陶瓷元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021197894.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212741167U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
黄远提施少雄李卫明郭志伟杨应喜袁明军
申请人 ：
光华科学技术研究院（广东）有限公司;广东东硕科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区石楼镇创启路63号创启7号楼
代理机构 ：
北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
徐楼
优先权 ：
CN202021197894.5
主分类号 ：
C04B41/90
IPC分类号 ：
C04B41/90 C23C28/02 H01P1/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B41/00
砂浆、混凝土、人造石或陶瓷的后处理；天然石的处理
C04B41/80
仅对陶瓷的
C04B41/81
涂覆或浸渍
C04B41/89
形成至少两层具有不同组成的叠加层的
C04B41/90
至少有一层是金属
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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