栅介电层及半导体元件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种栅介电层的制造方法，首先于衬底中形成一井区，再对衬底进行一清洗工艺。然后，对衬底进行一预退火工艺，再于衬底上形成一层栅介电层。藉此，可提高半导体元件的开启状态电流。
基本信息
专利标题 ：
栅介电层及半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959937A
申请号 ：
CN200510119319.7
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑礼贤李东兴郑子铭沈泽民邱大秦
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119319.7
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/31 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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