低温聚硅TFT用的多层高质量栅介电层

专利权的终止

摘要

一种利用高密度等离子氧化(HDPO)制造工艺以在MOS TFT组件中形成高质量栅极介电层的方法与设备。在实施例中，HDPO层形成在通道、源极与漏极区域上以形成介电界面，以及一层或多层介电层被沉积在HDPO层上以形成高质量栅极介电层。HDPO制造工艺通常利用感应耦合以及/或电容耦合射频(RF)发射组件以产生与控制生成在基板上的等离子，并注入含氧化源之气体以长成界面层。第二介电层可以利用化学气相沉积(CVD)或等离子增强型CVD(PECVD)沉积制造工艺而沉积在基板表面上。本发明亦提供一种群集工具(cluster tool)，其包含至少一种能够沉积高质量栅极介电层之特制化等离子处理反应室。

基本信息

专利标题：

低温聚硅TFT用的多层高质量栅介电层

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101310036A

申请号：

CN200580039023.2

公开（公告）日：

2008-11-19

申请日：

2005-11-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

约翰·怀特

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王光辉

优先权：

CN200580039023.2

主分类号：

C23C14/16

IPC分类号：

C23C14/16

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/06

以镀层材料为特征的

C23C14/14

金属材料、硼或硅

C23C14/16

在金属基体或在硼或硅基体上

法律状态

2020-10-30 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 14/16
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20140806
终止日期 : 20191115

2014-08-06 ：

授权

2009-01-14 ：

实质审查的生效

2008-11-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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