预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法
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摘要
本发明提供一种预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法。上述预估方法包括施加一偏压于一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的栅极上。维持一金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的漏极电压等于或小于该偏压。由偏压导致金属－绝缘－半导体场效晶体管电性参数提前偏移所需的累积时间，量测元件的寿命。推导出该偏压与该元件的寿命之间的一函数关系。并将金属－绝缘－半导体场效晶体管的操作电压代入该函数关系，由此外插估算出金属－绝缘－半导体场效晶体管元件于操作电压的运作寿命。本发明提供了能精确地估算出具有高介电常数栅极介电层的金属－绝缘－半导体场效晶体管元件的运作寿命的方法。
基本信息
专利标题 ：
预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811478A
申请号 ：
CN200610000641.2
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡庆威王志豪季明华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610000641.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2008-08-20 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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