遮蔽栅极式沟槽晶体管
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摘要
一种遮蔽栅极式沟槽晶体管，包括具有沟槽的衬底、设置于沟槽下部的下部电极、设置于沟槽上部的上部电极、以及层间绝缘层，上部电极的上表面通过化学机械研磨工艺形成，使上部电极具有平整的上表面，层间绝缘层通过化学气相沉积工艺形成，使所述层间绝缘层具有平整的上表面。层间绝缘层通过化学气相沉积工艺形成，使得层间绝缘层较现有技术的厚且具有平整的上表面，由于上部电极的下表面形成在层间绝缘层的上表面，连带使得上部电极的下面变得平整；上部电极形成后，其上表面通过化学机械研磨，使上部电极回蚀工艺能平均蚀刻，使得上部电极具有平整的上表面；改良后的上部电极具有平整的上表面及下表面，从而达到提升产品可靠度的功效。
基本信息
专利标题 ：
遮蔽栅极式沟槽晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120521945.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-12
授权号 ：
CN216624287U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
郑事展
申请人 ：
力智电子（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区莲花街道福中社区金田路4028号荣超经贸中心B2301,2302,2303,2305
代理机构 ：
广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李肇伟
优先权 ：
CN202120521945.3
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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