沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构

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摘要

本发明提供一种沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构，包含：金属层分别设置于结构的上表面与底面；N型半导体基板设置于漏极上；N型漂移区设置于N型半导体基板上；N型电流分散层设置于N型漂移区上；P型阱设置于电流分散层上；N型半导体层设置于P型阱上；第一P型半导体层相邻N型半导体层并设置于P型阱上；沟槽延伸通过N型半导体层、P型阱及N型电流分散层；绝缘层设置于沟槽内；分离栅极设置于沟槽的绝缘层中并被绝缘层包覆；栅极设置于沟槽的绝缘层中且在分离栅极上；半导体保护层设置于沟槽的底部下并相邻于N型漂移区，且绝缘层设置于半导体保护层上；栅极与分离栅极被绝缘层区隔出预设间距，能保护绝缘层不被破坏。

基本信息

专利标题：

沟槽式栅极功率金属氧化物半导体场效应晶体管的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108807540A

申请号：

CN201810352486.3

公开（公告）日：

2018-11-13

申请日：

2018-04-19

授权号：

CN108807540B

授权日：

2022-05-17

发明人：

黄智方江政毅

申请人：

黄智方

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

王涛

优先权：

CN201810352486.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336