本实用新型公开一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，包括由隔离层、复合半导体材料层及氧化扩散层组成的边界区域及带有阻障层的雪崩耐能单元；其第一段复合半导体材料层左端结构不与氧化扩散层左端取齐，且在复合半导体材料层和氧化扩散层邻近区域的共同末端加设包敷隔离层；还在氧化扩散层水平面上加设底隔离层；在包敷隔离层与底隔离层之间，以及包敷隔离层与隔离层之间通过金属材料开设接触窗口，构成强化型边界区域结构；所述接触窗口与源极相连接。所述雪崩耐能单元结构中阻障层整体呈长方形，其长边水平向设置在N+通道之间，阻障层长的一边的长度大于N+通道宽度。采用本实用新型能提升崩溃电压，并提高雪崩耐能能力。