提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合，在惰性气氛的保护下，于800～1000℃的温度退火30～60min，然后正常进行后续工艺，注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定；在氧化层中引入深电子陷阱，避免了边缘漏电流，减小了辐射产生正电荷对器件的影响，从而提高了器件的抗总剂量辐射的水平。而且这种方法不用特殊制备氧化埋层的方法，适用于商业化生产。
基本信息
专利标题 ：
提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1845308A
申请号 ：
CN200610024846.4
公开（公告）日 ：
2006-10-11
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610024846.4
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2013-05-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101457720065
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2006100248464
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20080305
终止日期 : 20120317
号牌文件序号 : 101457720065
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2006100248464
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20080305
终止日期 : 20120317
2008-03-05 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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