具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法。在硅衬底的主表面上，由氮化硅制成的侧分隔件形成在包括氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜的叠层的侧壁上。此后，通过使用该叠层、侧分隔件和抗蚀剂层作为掩模注入杂质离子而形成沟道停止离子掺杂区。在除去抗蚀剂层和侧分隔件后，通过采用叠层作为掩模的选择氧化形成场氧化物膜，并形成相应于离子掺杂区的沟道停止区。在除去该叠层后，例如MOS型晶体管的电路器件形成在场氧化物膜的每个器件开口中。
基本信息
专利标题 ：
具有场氧化物膜的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819137A
申请号 ：
CN200610006799.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高见秀诚深见博昭
申请人 ：
雅马哈株式会社
申请人地址 ：
日本静冈县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006799.0
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2017-03-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101708964935
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2006100067990
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20160128
号牌文件序号 : 101708964935
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2006100067990
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20160128
2009-09-23 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
