具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法

专利权的终止

摘要

一种半导体器件，包括基板(12)、在基板(12)的表面上形成的第一绝缘层(14)、在第一绝缘层(14)的表面上形成的纳米晶体层(13)、在纳米晶体层(13)上面形成的第二绝缘层(15)。向第二绝缘层(15)施加氮化环境，以形成在基板(12)上形成第三绝缘层(22)时阻挡进一步氧化的阻挡层。第二绝缘层(15)的氮化在未增加用于制造半导体器件(10)的工艺流程的复杂性的情况下，防止了纳米晶体的氧化或收缩，并且防止了第一绝缘层14的厚度的增加。

基本信息

专利标题：

具有氮化氧化物层的半导体器件及其方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101124667A

申请号：

CN200580041207.2

公开（公告）日：

2008-02-13

申请日：

2005-12-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

林相佑罗伯特·F·施泰梅尔

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200580041207.2

主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L21/331 H01L21/4763

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/328

制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺

H01L21/33

包括3个或更多电极的器件

H01L21/331

晶体管

法律状态

2018-12-07 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20171216

2009-09-16 ：

授权

2008-04-09 ：

实质审查的生效

2008-02-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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