蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件
公开
摘要
本发明提供一种蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件，该蚀刻液用于包含铜系和钼系金属膜的三层金属膜结构的铟镓锌氧化物半导体器件的蚀刻，包括占总重量15％～25％的过氧化氢、0.1％～3％的螯合剂、0.01％～2％的腐蚀抑制剂、0.01％～5％的蚀刻剂、0.05％～2％的PH调节剂、0.01％～2％的双氧水稳定剂和余量的水，PH值范围为2～5；本发明实施例提供的蚀刻液无氟、低毒、环境友好且低酸性，去残能力强，不会造成玻璃基板及铟镓锌氧化物半导体器件的损伤。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592191A
申请号 ：
CN202210211071.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康明伦
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李佳桁
优先权 ：
CN202210211071.0
主分类号 ：
C23F1/44
IPC分类号 ：
C23F1/44 C23F1/18 C23F1/26 H01L21/4763
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/44
从一种不同成分的金属材料基体上蚀刻金属材料的组合物
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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