蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备...
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摘要
本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1]其中，R1‑R6独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C1‑C20烃基、C1‑C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1‑C20‑烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基。L为直接键或者C1‑C3亚烃基，A为n价基团，n为1‑4的整数。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111100641A
申请号 ：
CN201911016141.1
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN111100641B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
金喆禹沈由那李光国郭宰熏金荣汎李宗昊赵珍耿
申请人 ：
SK新技术株式会社;爱思开新材料有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋洪之
优先权 ：
CN201911016141.1
主分类号 ：
C09K13/06
IPC分类号 ：
C09K13/06 H01L21/311
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K13/00
蚀刻，表面光亮或浸蚀组合物
C09K13/04
含一种无机酸
C09K13/06
带有机材料的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-09-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 13/06
申请日 : 20191024
申请日 : 20191024
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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