包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法
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摘要
一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。
基本信息
专利标题 ：
包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825628A
申请号 ：
CN200610005021.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田尚勋崔圣圭金桢雨黄显相韩祯希崔相武朴星昊
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005021.8
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51 H01L21/336 H01L21/283
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法律状态
2009-08-19 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100530691C.PDF
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