用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯...
授权
摘要
本申请公开了一种用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片，所述绝缘层结构用于电性隔离所述半导体器件的顶层焊盘层和金属电路层，所述绝缘层结构包括N个金属过孔，所述N个金属过孔的上端分别于所述顶层焊盘相连，所述N个金属过孔的下端分别于所述金属电路层相连，其中，N为大于或等于4正整数。本申请在半导体器件的绝缘层结构中金属过孔，多个金属过孔形成的金属支撑柱对半导体器件中其它层结构施加的应力起到了支撑、平衡、缓冲的作用，增强了电路层金属和绝缘层在应力作用下抵抗失效的能力，从而改善了半导体器件电路的性能，提高半导体器件加工质量和半导体器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的绝缘层结构、半导体器件和功率放大器PA芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122140211.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-06
授权号 ：
CN216488040U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
翟立伟申中国甘陈前罗志耀
申请人 ：
升新高科技（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江苏自贸区南京片区浦滨路320号科创总部大厦C座906室
代理机构 ：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
许振新
优先权 ：
CN202122140211.3
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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