用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件

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摘要

本发明公开了一种用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件。所述半导体器件包括存储块，所述方法包括：对所述存储块进行第一擦除操作；采用第一验证电压，对所述存储块进行第一擦除验证；若检测到所述第一擦除验证失败，则对所述存储块进行第二擦除操作；采用第二验证电压，对所述存储块进行第二擦除验证；所述第一验证电压大于所述第二验证电压，且第一验证电压大于预设验证电压。本发明能够避免擦除验证过程中HCI的发生，确保半导体器件的性能。

基本信息

专利标题：

用于半导体器件的擦除验证方法及半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112614526A

申请号：

CN202110010731.4

公开（公告）日：

2021-04-06

申请日：

2021-01-06

授权号：

CN112614526B

授权日：

2022-05-13

发明人：

李楷威游开开靳磊

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司

代理人：

唐秀萍

优先权：

CN202110010731.4

主分类号：

G11C16/16

IPC分类号：

G11C16/16 G11C16/34