一种半导体器件及用于半导体器件的擦除和验证方法

授权

摘要

本申请公开了一种半导体器件及用于半导体器件的擦除和验证方法，半导体器件包括多个存储块，多个存储块中的选定存储块包括多个存储单元串，每个存储单元串包括多个存储单元；擦除和验证方法包括：在擦除操作阶段，擦除每个存储单元串中的多个存储单元；在验证操作阶段，包括预导通阶段和验证阶段，多个存储单元串包括选定存储单元串和未选定存储单元串；在预导通阶段，将选定存储单元串和未选定存储单元串中的至少一种设定为沟道导通状态；在验证阶段，对选定存储单元串中的至少一个存储单元的阈值电压进行验证，且将未选定存储单元串设定为沟道截止状态。本申请可以避免热载流子注入风险，有利于提高半导体器件的擦除验证的准确性。

基本信息

专利标题：

一种半导体器件及用于半导体器件的擦除和验证方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112687317A

申请号：

CN202110010734.8

公开（公告）日：

2021-04-20

申请日：

2021-01-06

授权号：

CN112687317B

授权日：

2022-04-29

发明人：

贾建权李达游开开李楷威罗哲田瑶瑶刘畅李姗张安靳磊

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司

代理人：

唐秀萍

优先权：

CN202110010734.8

主分类号：

G11C16/34

IPC分类号：

G11C16/34 G11C16/04 G11C16/14