在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。