非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法
公开
摘要
本申请提供一种非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法，该方法包括：在待擦除的多个堆叠体中的第一堆叠体包括的存储单元施加第一导通电压；在施加所述第一导通电压之后，在共源极和漏极分别施加源极擦除电压和漏极擦除电压；以及在源极擦除电压和漏极擦除电压的电平爬升至其峰值电平期间，在待擦除的多个堆叠体中的第二堆叠体包括的虚设存储单元上施加第一电压。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613415A
申请号 ：
CN202210201088.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王均保游开开李楷威贾建权张安
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210201088.8
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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