非易失性存储器子区块擦除干扰管理方案

授权

摘要

非易失性存储器配置为允许在子区块级进行编程和擦除。在子区块擦除中，诸如通过将它们的字线留为浮置同时将擦除电压施加到子区块所属的物理区块的阱结构，可以选择存储器单元中的一些用于擦除，而不选择其他的存储器单元用于擦除。尽管子区块擦除在未选择的存储器单元之上施加比擦除选择的存储器单元更低的电场，但其仍然将未选择的存储器单元置于一定程度的应力之下，并且可能导致擦除干扰。为了帮助管理该擦除干扰，每个子区块具有相关联的擦除干扰计数，当擦除相同的物理区块的另一个子区块时，该擦除干扰计数递增，但是当该子区块自身被擦除时，重设擦除干扰计数。一旦计数达到阈值，子区块可以标记为进行补救行动，诸如刷新和垃圾收集。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器子区块擦除干扰管理方案

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109119120A

申请号：

CN201810218754.2

公开（公告）日：

2019-01-01

申请日：

2018-03-16

授权号：

CN109119120B

授权日：

2022-06-14

发明人：

胡信德

申请人：

西部数据技术公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

邱军

优先权：

CN201810218754.2

主分类号：

G11C16/34

IPC分类号：

G11C16/34