非易失性存储器擦除作业中的字线补偿

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

在擦除作业期间将补偿电压施加至非易失性存储器系统以均衡存储单元的擦除行为。补偿电压可补偿从其他存储单元及/或选择栅电容性耦合至NAND串的存储单元的电压。可将补偿电压施加至一个或一个以上存储单元以大致正规化存储单元的擦除行为。可将补偿电压施加至NAND串的端存储单元以使其擦除行为与所述NAND串的内部存储单元均衡。也可将补偿电压施加至内部存储单元以使其擦除行为与端存储单元均衡。另外，可将补偿电压施加至NAND串的一个或一个以上选择栅以补偿从所述选择栅耦合至一个或一个以上存储单元的电压。可使用各种补偿电压。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器擦除作业中的字线补偿

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101095198A

申请号：

CN200580041995.5

公开（公告）日：

2007-12-26

申请日：

2005-12-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

万钧杰弗里·W·路特斯庞产绥

申请人：

桑迪士克股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘国伟

优先权：

CN200580041995.5

主分类号：

G11C16/16

IPC分类号：

G11C16/16 G11C16/04 G11C16/34

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C16/00

可擦除可编程序只读存储器

G11C16/02

电可编程序的

G11C16/04

使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS

G11C16/10

编程或数据输入电路

G11C16/14

用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路

G11C16/16

用于擦除块的，例如，阵列、字、组

法律状态

2016-07-13 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101735530379
IPC(主分类) : G11C 16/16
专利号 : ZL2005800419955
变更事项 : 专利权人
变更前 : 桑迪士克科技公司
变更后 : 桑迪士克科技有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国德克萨斯州
变更后 : 美国德克萨斯州

2013-02-20 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101517004146
IPC(主分类) : G11C 16/16
专利号 : ZL2005800419955
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三因迪斯克技术有限公司
变更后 : 桑迪士克科技公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国德克萨斯州
变更后 : 美国德克萨斯州

2012-05-02 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101341734190
IPC(主分类) : G11C 16/16
专利号 : ZL2005800419955
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 桑迪士克股份有限公司
变更后权利人 : 三因迪斯克技术有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国德克萨斯州
登记生效日 : 20120322

2010-04-07 ：

授权

2008-02-20 ：

实质审查的生效

2007-12-26 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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