改善非易失存储器元件擦除的制造方法

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摘要

一种嵌入式非易失存储器元件之制造方法，其包括形成第一掩膜层于半导体基材上之晶胞区以及外围区之多晶硅层上，其中第一掩膜层于晶胞区内包括多个开口。接着，氧化上述开口所暴露出多晶硅层之多个部分，以形成多个多晶硅氧化区，然后去除第一掩膜层。之后，蚀刻未被上述多晶硅氧化区覆盖之多晶硅层，以形成多个浮置栅极，其中蚀刻多晶硅层之步骤伴随溅镀工艺。随后，形成介电层及第二掩膜层于晶胞区以及外围区内。形成光刻胶层于外围区内之第二掩膜层上后，部分蚀刻晶胞区内之第二掩膜层。接下来，部分蚀刻介电层，以形成多个厚度之介电层。然后，去除第二掩膜层，并且形成多个控制栅极，其中前述控制栅极部分形成于晶胞区内之上述浮置栅极上。

基本信息

专利标题：

改善非易失存储器元件擦除的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825569A

申请号：

CN200610002364.9

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

刘世昌罗际兴傅士奇谢佳达朱文定蔡嘉雄

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

包红健

优先权：

CN200610002364.9

主分类号：

H01L21/8247

IPC分类号：

H01L21/8247