擦除存储器
公开
摘要
操作存储器的方法和被配置为执行类似方法的存储器可包含：将正第一电压电平施加到选择性地连接到串联连接的存储器单元串的第一节点，同时将负第二电压电平施加到连接在所述第一节点与所述串联连接的存储器单元串之间的晶体管的控制栅极；以及将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到第三电压电平，同时将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到低于所述第三电压电平且高于所述第一电压电平的第四电压电平。
基本信息
专利标题 ：
擦除存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303195A
申请号 ：
CN202080059560.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·M·鲍路西P·泰萨里欧E·卡梅尔伦吉G·卡尔内瓦莱A·毕维努提
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080059560.8
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/14 G11C16/16 G11C16/24 G11C16/30 G11C16/32
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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