具有字节擦除操作的四栅分栅式闪存存储器阵列
公开
摘要
一种存储器单元阵列，该存储器单元阵列具有：以行和列布置的存储器单元；第一子源极线，其各自将位于一个行中以及位于第一多个列中的源极区连接在一起；第二子源极线，其各自将位于一个行中以及位于第二多个列中的源极区连接在一起；第一擦除栅线和第二擦除栅线，其各自将分别位于第一多个列和第二多个列中的所有擦除栅连接在一起；第一选择晶体管，其各自连接在第一子源极线中的一条第一子源极线与多条源极线中的一条源极线之间，第二选择晶体管，其各自连接在第二子源极线中的一条第二子源极线与源极线中的一条源极线之间；第一选择晶体管线，其连接到第一选择晶体管的栅极，和第二选择晶体管线，其连接到第二选择晶体管的栅极。
基本信息
专利标题 ：
具有字节擦除操作的四栅分栅式闪存存储器阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616625A
申请号 ：
CN202080071209.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁轩吴满堂杨任伟张立欣H·V·特兰N·多
申请人 ：
硅存储技术股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
蔡悦
优先权 ：
CN202080071209.0
主分类号 ：
G11C16/04
IPC分类号 ：
G11C16/04 G11C16/08 G11C16/10 G11C16/16 G11C16/24 G11C16/26 H01L27/11521 H01L29/423 H01L29/788
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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