纳米栅及纳米栅器件的制备方法
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摘要
本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种纳米栅的制备方法，包括：根据第一介质层表面沉积的第一光刻胶上的光刻胶图形，对第一介质层表面光刻胶图形以外的区域进行第一次刻蚀，去除第一次刻蚀后的第一介质层表面沉积的第一光刻胶，获得衬底和第一次刻蚀后的第一介质层构成的台阶结构；在台阶结构的水平表面和垂直侧壁上沉积金属层，并在金属层的表面生长第二介质层；对金属层和第二介质层进行第二次刻蚀；在第二次刻蚀后的台阶结构上生长第三介质层，并对第三介质层表面进行抛光，使第三介质层上表面齐平并露出金属层对应的金属，获得纳米栅。本发明利用台阶垂直侧壁的金属层作为纳米栅，可以精确控制纳米栅的尺寸，降低纳米栅的制作难度。
基本信息
专利标题 ：
纳米栅及纳米栅器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110429030A
申请号 ：
CN201910696974.0
公开（公告）日 ：
2019-11-08
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN110429030B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
何泽召蔚翠刘庆彬高学栋郭建超周闯杰冯志红
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市新华区合作路113号
代理机构 ：
石家庄国为知识产权事务所
代理人 ：
付晓娣
优先权 ：
CN201910696974.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-12-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190730
申请日 : 20190730
2019-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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