一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法
公开
摘要
本发明为一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法。该方法以聚乙烯基咔唑和苯乙烯混合制得前驱体溶液，然后利用高分辨率电流体喷印设备在制备好的半导体层上打印出纳米线阵列，经蒸镀电极之后利用胶带将所制备的纳米阵列沿金属电极边缘撕下，得到纳米沟道。本发明制备的纳米沟道尺寸可控，排列整齐，可以应用于小尺寸电子器件，解决了现有技术制备电子器件尺寸限制的问题，具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点，并且具备纳米沟道的人工突触器件的能量消耗被大大降低。
基本信息
专利标题 ：
一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597131A
申请号 ：
CN202210215494.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐文涛郭科鑫
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
天津市津南区海河教育园区同砚路38号
代理机构 ：
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵凤英
优先权 ：
CN202210215494.X
主分类号 ：
H01L21/34
IPC分类号 ：
H01L21/34 H01L21/443 H01L29/10 B41M5/00 G06N3/063
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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