二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件，该制备方法包括：提供一反应装置，所述反应装置包括低压的反应腔室，该反应腔室具有依次间隔设置的第一区域和第二区域；将含硒前驱体放置于第一区域，含铜前驱体和含氧前驱体放置于第二区域；生长基底放置于二区域，倒扣于含铜前驱体和含氧前驱体上方；热处理，含硒前驱体、含铜前驱体和含氧前驱体蒸发、反应，并在生长基底表面获得BiCuSeO纳米片。本发明通过一种化学气相沉积（CVD）方法，实现了最小厚度7.6nm、横向尺寸最大270μm的二维BiCuOSe纳米片的制备。
基本信息
专利标题 ：
二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114477105A
申请号 ：
CN202210321021.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张凯李杰张严张君蓉汪永杰俞强
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区若水路398号
代理机构 ：
苏州三英知识产权代理有限公司
代理人 ：
仲崇明
优先权 ：
CN202210321021.8
主分类号 ：
C01B19/00
IPC分类号 ：
C01B19/00 H01L29/24 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 19/00
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
