具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括半导体衬底；该衬底中的第一区和第二区，该第一区和该第二区的导电类型与该衬底的导电类型不同，其中该衬底中的沟道区在该第一区和该第二区之间延伸。该沟道区在该第一区和该第二区之间是连续的。第一浮栅设置在该沟道区的第一部分上方并且与该第一部分绝缘。第二浮栅设置在该沟道区的第二部分上方并且与该第二部分绝缘。第一耦合栅设置在该第一浮栅上方并且与该第一浮栅绝缘。第二耦合栅设置在该第二浮栅上方并且与该第二浮栅绝缘。字线栅设置在所述沟道区的介于所述第一沟道区部分和所述第二沟道区部分之间的第三部分上面并且与所述第三部分绝缘。擦除栅设置在该字线栅上方并且与该字线栅绝缘。
基本信息
专利标题 ：
具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335185A
申请号 ：
CN202011056431.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王春明X·刘宋国祥邢精成N·多
申请人 ：
硅存储技术股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈斌
优先权 ：
CN202011056431.1
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/11521 H01L29/423 H01L21/336 G11C16/04
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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