存储器中的位存储单元
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及应用VLSI技术的超高速存储器位单元，许多位单元可高密度地压缩，该位单元包括：一个单元电路(T1、T2、L1、L2、D1、D2；T1、T2、I1、I2、D1、D2)，其中位值是可存储的，该值不为“真”即为“假”；一条持续施加电压的第一联线(VCC)；第二、三、四联线(acc、d、d*)，每线可在不同控制状态下设置；第二、三、四联线的每种组合使存储器位单元处于一组功能状态中的一个独立状态。
基本信息
专利标题 ：
存储器中的位存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1058667A
申请号 ：
CN91105268.2
公开（公告）日 ：
1992-02-12
申请日 ：
1991-08-02
授权号 ：
CN1030018C
授权日 ：
1995-10-11
发明人 ：
卡尔斯特·拉斯·冈纳
申请人 ：
卡尔斯特电子工司
申请人地址 ：
瑞典哥德堡
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN91105268.2
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 G11B7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
1999-09-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-10-11 ：
授权
1993-11-24 ：
实质审查请求的生效
1992-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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