电容器、存储单元及存储器
授权
摘要
一种电容器、存储单元及存储器，所述电容器包括：下电极；上电极；位于所述下电极与所述上电极之间的电容介电层，所述电容介电层包括主介电层、位于所述主介电层与所述上电极之间的牺牲层。所述电容器的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
电容器、存储单元及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920955048.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN209993622U
授权日 ：
2020-01-24
发明人 ：
吴秀菊
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920955048.6
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2020-01-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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