存储单元及电容器结构
授权
摘要
本公开提供一种存储单元及电容器结构。该电容器结构包括衬底、第一下电极以及第二下电极。所述第一下电极设于所述衬底。所述第一下电极沿着垂直于所述衬底的方向包括相互连接的主体部和第一连接部，所述第一连接部位于所述主体部远离所述衬底的一侧，且所述第一连接部在平行于所述衬底的方向上的截面面积大于所述主体部在平行于所述衬底的方向上的截面面积。第二下电极设于所述第一下电极远离所述衬底的一侧，并与所述第一连接部接触。本公开能够提高电容器结构的高度。
基本信息
专利标题 ：
存储单元及电容器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921700970.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN210296415U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
张强王晓玲
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921700970.7
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/108
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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