存储单元及反熔丝结构
授权
摘要
本公开提供一种存储单元及反熔丝结构。该反熔丝结构可以包括第一导电层、反熔丝层以及第二导电层。该反熔丝层设于第一导电层上，且反熔丝层包括磁性隧道结。该第二导电层设于反熔丝层远离第一导电层的一侧。本公开能够使存储单元具有多次可编程的功能。
基本信息
专利标题 ：
存储单元及反熔丝结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921375981.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-22
授权号 ：
CN210110756U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921375981.2
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L27/108 G11C17/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
