包括作为熔丝元件的二极管的熔丝存储单元
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要

公开了一种由插入到导体之间的半导体结型二极管形成的存储单元。通过使存储单元呈现非常高的电阻来对所述单元编程,使得当施加读取电压时在导体之间不再流过电流。在该单元中,二极管表现为熔丝。半导体结型二极管包括硅,所述硅与硅化物相接触时结晶化。硅化物可以提供用于结晶化的模板,降低了硅的缺陷密度并且提高了其导电性。在形成硅化物的步骤期间,还原插入在硅和硅成形金属之间的电介质层(例如,氧化物、氮化物、或氮氧化物)是有利的。

基本信息
专利标题 :
包括作为熔丝元件的二极管的熔丝存储单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101432823A
申请号 :
CN200580026092.X
公开(公告)日 :
2009-05-13
申请日 :
2005-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
克里斯托弗·J·佩蒂
申请人 :
桑迪斯克三维有限公司
申请人地址 :
美国特拉华州
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
王波波
优先权 :
CN200580026092.X
主分类号 :
G11C17/18
IPC分类号 :
G11C17/18  G11C11/36  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/18
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2013-10-16 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101665267999
IPC(主分类) : G11C 17/18
专利申请号 : 200580026092X
申请公布日 : 20090513
2009-07-08 :
实质审查的生效
2009-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332