反熔丝单元及其制造过程

专利权的终止

摘要

一种反熔丝单元，包括：MOS集成电路的MOS晶体管，具有由金属硅化物层(12，13)覆盖的源区(7)和漏区(8)，至少一个电阻层轨道(24)，所述电阻轨道至少部分地围绕所述MOS晶体管并且适于传导加热电流以使所述金属硅化物的金属横跨地扩散于源结和/或漏结之间。

基本信息

专利标题：

反熔丝单元及其制造过程

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101091249A

申请号：

CN200580044938.2

公开（公告）日：

2007-12-19

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

伯特兰·巴拉提罗伯特·毛里齐奥·冈尼拉塞巴斯蒂安·法布尔

申请人：

ST微电子（克偌林斯2）SAS公司;皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

法国克偌林斯

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司

代理人：

霍育栋

优先权：

CN200580044938.2

主分类号：

H01L23/525

IPC分类号：

H01L23/525

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/525

具有可适用互连装置的

法律状态

2014-02-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101571526411
IPC(主分类) : H01L 23/525
专利号 : ZL2005800449382
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20121223

2010-05-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101002299087
IPC(主分类) : H01L 23/525
专利号 : ZL2005800449382
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : ST微电子(克偌林斯2)SAS公司
变更后权利人 : ST微电子(克偌林斯2)SAS公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国克偌林斯
变更后权利人 : 法国克偌林斯
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 皇家飞利浦电子股份有限公司
变更后权利人 : NXP股份有限公司
登记生效日 : 20100419

2009-03-25 ：

授权

2008-02-13 ：

实质审查的生效

2007-12-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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