反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器
授权
摘要
本实用新型提供一种反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器，所述反熔丝单元包括：有源区、位于所述有源区外围的隔离区以及覆盖所述有源区的栅极；所述反熔丝单元的栅极与所述有源区形成重合区域；其中，所述隔离区与所述重合区域的接触边界存在角。本实用新型通过反熔丝栅极与有源区形成重合区域，并将重合区域与隔离区接触边界形成角，减少器件面积，提高器件集成度。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021604936.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN213519954U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
黄泽赵立新张羊
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021604936.2
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 G11C17/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN213519954U.PDF
PDF下载
