有关熔丝信息的非易失性存储器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种无熔丝电路可以包括NAND闪速存储单元和响应于存储在NAND闪速存储单元中的数据而导通或关断的开关。还包括可以在有耦接到开关的可调节电路的半导体器件中实现无熔丝电路。可调节电路可以被构造成响应于开关的导通或关断状态而模拟熔丝的No_Cut(未切断)或Cut(切断)操作操作。
基本信息
专利标题 ：
有关熔丝信息的非易失性存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783345A
申请号 ：
CN200510118085.4
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵显德李真烨金镇国
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王志森
优先权 ：
CN200510118085.4
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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