非易失存储器及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种非易失存储器的制造方法，此方法系先提供衬底，并于衬底上形成由多个第一存储单元与多个第二存储单元所构成之存储胞数组。继而，于存储胞数组两侧的衬底中形成源极区与漏极区。然后，于衬底上形成图案化之第一层间绝缘层，以形成第一沟槽与第二沟槽。继之，于衬底上形成导体层，以于第一沟槽中形成源极线，于第二沟槽中形成多条导线。之后，于衬底上形成第二层间绝缘层，再于第二层间绝缘层及第一层间绝缘层中形成与漏极区接触之导电插塞。继而，于第二层间绝缘层上形成与导电插塞接触之位线。

基本信息

专利标题：

非易失存储器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101022090A

申请号：

CN200610007018.X

公开（公告）日：

2007-08-22

申请日：

2006-02-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

魏鸿基毕嘉慧曾维中

申请人：

力晶半导体股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610007018.X

主分类号：

H01L21/8247

IPC分类号：

H01L21/8247 H01L27/115