存储器件及其制造方法
公开
摘要
本公开涉及存储器件及其制造方法。公开了一种存储器件。存储器件包括第一晶体管以及电耦合到第一晶体管的第一电容器，第一晶体管和第一电容器形成第一一次性可编程(OTP)存储单元。第一电容器具有第一底部金属端子、第一顶部金属端子、以及介于第一底部金属端子与第一顶部金属端子之间的第一绝缘层。第一绝缘层包括第一部分、与第一部分分开的第二部分、以及在第一部分和第二部分之间垂直地延伸的第三部分。第一底部金属端子位于第一绝缘层的第一部分的正下方并与该第一部分接触。
基本信息
专利标题 ：
存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566502A
申请号 ：
CN202210073446.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈建盈杨耀仁黄家恩
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈蒙
优先权 ：
CN202210073446.1
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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