相变存储器及其制造方法
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摘要
硫族化物选择器件(24，120)和硫族化物存储元件(40，130)都在电介质(18，22)内的通路内形成。结果，硫族化物有效地陷入在通路内并且不需要胶合层或粘合层。而且，避免了脱层问题。在与存储元件(40，130)相同的通路(31)内形成喷枪材料(30)。在一个实施例中，喷枪材料由于存在侧壁隔离物(28)而做得更薄；在另一个实施例中，不使用侧壁隔离物。用于形成存储元件(130)的硫族化物(40)和喷枪材料(30)之间相对小的接触面积是通过在电介质(34)中提供针孔开口来实现的，电介质(34)分开了硫族化物和喷枪材料。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142695A
申请号 ：
CN200580048280.2
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2005-12-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
I·V·卡波夫C·C·郭Y·金G·阿特伍德
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利布里安扎
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200580048280.2
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L27/24
相关图片
法律状态
2010-12-08 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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