相变存储器及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种包括具有相变纳米颗粒的相变材料层的相变存储器及其制造方法。相变存储器可包括：相互面对的第一电极和第二电极；插入在第一电极和第二电极之间的含有相变纳米颗粒的相变材料层；以及电连接到第一电极的开关器件。
基本信息
专利标题 ：
相变存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812118A
申请号 ：
CN200510126630.4
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜闰浩赵郁廉徐东硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510126630.4
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00
法律状态
2010-03-10 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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